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연합인증

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투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/24
  • H01L-021/02
  • H01L-021/205
  • H01L-021/3065
  • H01L-021/3213
출원번호 10-2021-0122697 (2021-09-14)
공개번호 10-2021-0118014 (2021-09-29)
등록번호 10-2595804-0000 (2023-10-25)
우선권정보 대한민국(KR) 1020160104727 (2016-08-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210122697
발명자 / 주소
  • 김정일 / 경기도 평택시 세교공원로 **, ***동 ***호(세교동, 부영원앙아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 티씨케이 / 경기도 안성시 미양면 개정산업단지로 **
대리인 / 주소
  • 특허법인 무한
심사청구여부 있음 (2021-10-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 일 실시예에 따르면, 둘 이상의 적층된 층을 포함하고, 상기 적층된 층의 각 층은 SiC를 포함하고, 인접한 다른 층과 서로 다른 투과도 값을 갖는 것인, 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품이 제공된다.

대표청구항 ▼

둘 이상의 적층된 층을 포함하고,상기 적층된 층의 각 층은, 인접한 다른 층과 서로 다른 원료가스 도입구군을 사용하여 형성되고,상기 적층된 층의 각 층은 SiC를 포함하고 인접한 다른 층과 서로 다른 투과도 값을 갖는 것이고,상기 적층된 층의 각 층 내부는 각 층 간의 경계에 비해 균일한 색을 가지며,상기 적층된 층의 각 층 간의 경계에서는 인접한 두 층의 색이 섞이는 중간 영역이 확인되는 것이고,상기 적층된 각 층은, 층이 바뀌는 과정에서 층이 증착되는 챔버 내의 온도가 유지되면서 형성되는 것인,투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는

이 특허에 인용된 특허 (4)

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