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연합인증

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SiC 엣지 링 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/687
  • H01L-021/02
  • H01L-021/3065
  • H01L-021/67
출원번호 10-2021-0123197 (2021-09-15)
공개번호 10-2021-0118780 (2021-10-01)
등록번호 10-2611718-0000 (2023-12-05)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210123197
발명자 / 주소
  • 김경준 / 경기도 수원시 장안구 광교산로 ***, ***동 ***호(연무동, 신미주아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 티씨케이 / 경기도 안성시 미양면 개정산업단지로 **
대리인 / 주소
  • 특허법인 무한
심사청구여부 있음 (2022-04-18)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 반도체 제조공정에서 사용되는 반도체 제조용 부품 중 엣지 링에과 관한 것으로서, 본 발명의 SiC 엣지 링은, 플라즈마 손상 부분 및 비손상 부분을 가지는 SiC를 포함하는 제1 증착부; 및 상기 제1 증착부 상에 형성된 SiC를 포함하는 제2 증착부;를 포함하고, 상기 제1 증착부의 손상 부분과 상기 제2 증착부 간의 경계는 비평탄면을 포함한다.

대표청구항

플라즈마 손상 부분 및 비손상 부분을 가지는 SiC를 포함하는 제1 증착부; 및 상기 제1 증착부 상에 형성된 SiC를 포함하는 제2 증착부;를 포함하고,상기 제1 증착부의 손상 부분과 상기 제2 증착부 간의 경계는 비평탄면을 포함하는 SiC 엣지 링으로서,상기 제1 증착부는 상기 SiC 엣지 링이 저면 가공되어 분리된 것이고,상기 제2 증착부는 분리되지 않은 것인,SiC 엣지 링.

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] METHOD FOR REUSING CONSUMABLE PART USED FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS | SATO NAOYUKI, NAGASEKI KAZUYA, NAGAYAMA MASAYUKI, NAGAKUBO KEIICHI
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