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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0123197 (2021-09-15) | |
공개번호 | 10-2021-0118780 (2021-10-01) | |
등록번호 | 10-2611718-0000 (2023-12-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210123197 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-04-18) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 제조공정에서 사용되는 반도체 제조용 부품 중 엣지 링에과 관한 것으로서, 본 발명의 SiC 엣지 링은, 플라즈마 손상 부분 및 비손상 부분을 가지는 SiC를 포함하는 제1 증착부; 및 상기 제1 증착부 상에 형성된 SiC를 포함하는 제2 증착부;를 포함하고, 상기 제1 증착부의 손상 부분과 상기 제2 증착부 간의 경계는 비평탄면을 포함한다.
플라즈마 손상 부분 및 비손상 부분을 가지는 SiC를 포함하는 제1 증착부; 및 상기 제1 증착부 상에 형성된 SiC를 포함하는 제2 증착부;를 포함하고,상기 제1 증착부의 손상 부분과 상기 제2 증착부 간의 경계는 비평탄면을 포함하는 SiC 엣지 링으로서,상기 제1 증착부는 상기 SiC 엣지 링이 저면 가공되어 분리된 것이고,상기 제2 증착부는 분리되지 않은 것인,SiC 엣지 링.
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