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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0194122 (2021-12-31) | |
공개번호 | 10-2022-0097350 (2022-07-07) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020200189333 (2020-12-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210194122 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-12-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 플라즈마 장치용 보론카바이드 소결체 제조방법 및 이에 따라 제조된 보론카바이드 소결체에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 제조공정의 플라즈마 장치에서 사용되는 엣지링 등에 적용되는 보론카바이드 소결체 제조 시, 보론카바이드 입자 표면에 결정질의 펜타보란 입자 코팅층을 형성해줌으로써, 소결체 내 보론카바이드 입자 성장을 효과적으로 억제하여 소결체의 소결 밀도 및 강도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 보론카바이드 소결체의 보론카바이드 입자 표면에 형성된 결정질의 펜타보란 입자 코팅층은 소결체의 입자가 플라즈마로 인한
a) 벤젠 용액에 펜타보란(Pentaborane)을 첨가하여 펜타보란 용액을 제조하는 단계; b) 보론카바이드 분말을 상기 펜타보란 용액과 혼합하고, 6 내지 10 시간 동안 교반하는 단계; c) 상기 혼합 용액을 70 내지 80℃ 온도 범위에서 회전증발 농축기를 이용하여 용매를 건조시키는 단계;d) 상기 건조 분말을 아르곤 분위기 분위기 하에서 열분해하는 단계; e) 상기 건조 분말을 몰드 내에 장입하고 진공 분위기 하에서 1,000 내지 1,200 ℃ 온도 범위로 2 내지 8시간 유지시켜 분말 내 포함된 불순물을 제거하는 단계;
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