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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0055143 (2022-05-04) | |
공개번호 | 10-2022-0151559 (2022-11-15) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210058595 (2021-05-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220055143 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-05-04) | |
법적상태 | 공개 |
질화규소 가판 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 질화규소 기판 제조방법은 금속 실리콘 분말, 및 희토류 원소 함유 화합물과 마그네슘 함유 화합물을 포함하는 결정상 제어 분말을 포함하는 세라믹 조성물을 제조하는 단계, 상기 세라믹 조성물에 용매 및 유기바인더를 혼합하여 준비된 슬러리로 시트 형상의 성형체를 제조하는 단계, 및 상기 성형체에 대해서 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1300 ~ 1500℃ 범위 내 제1온도로 열을 처리하는 질화구간 및 1700 내지 1900℃범위 내 제2온도로 열처리하는 소결구간을 포함
금속 실리콘 분말, 및 희토류 원소 함유 화합물과 마그네슘 함유 화합물을 포함하는 결정상 제어 분말을 포함하는 세라믹 조성물을 제조하는 단계;상기 세라믹 조성물에 용매 및 유기바인더를 혼합하여 준비된 슬러리로 시트 형상의 성형체를 제조하는 단계; 및상기 성형체에 대해서 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1300 ~ 1500℃ 범위 내 제1온도로 열을 처리하는 질화구간 및 1700 내지 1900℃ 범위 내 제2온도로 열처리하는 소결구간을 포함하는 열처리 단계;를 포함하는 질화규소(Si3N4) 기판 제조방법.
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