초록

2차 입자화 과정에서 실리콘 결정의 손상을 회복하여 도전성 및 내구성이 개선되는 음극 활물질이 제공된다. 본 발명의 일 실시예는 제1 실리콘 입자가 응집된 제2 실리콘 입자; 및 상기 제2 실리콘 입자 상의 탄소층을 포함하는 음극 활물질로, 상기 음극 활물질을 포함하는 반쪽전지(half-cell)에 대한 미분전하용량곡선(differential capacity plot)에서 상기 식 1을 만족하는, 음극 활물질을 제공한다.

대표청구항 ▼

제1 실리콘 입자가 응집된 제2 실리콘 입자; 및상기 제2 실리콘 입자 상의 탄소층을 포함하는 음극 활물질로,상기 음극 활물질을 포함하는 반쪽전지(half-cell)에 대한 미분전하용량곡선(differential capacity plot)에서 하기 식 1을 만족하는,음극 활물질:[식 1]R=(dQ2/dV2)/(dQ1/dV1)≥1.2상기 식 1에서,dQ1/dV1은 0.3 내지 0.6V에서 첫번째 충/방전 사이클의 최대 방전 피크이고,dQ2/dV2은 0.3 내지 0.6V에서 두번째 충/방전 사이클의 최대 방전 피크이고,R은 최대 방전

제1 실리콘 입자가 응집된 제2 실리콘 입자; 및상기 제2 실리콘 입자 상의 탄소층을 포함하는 음극 활물질로,상기 음극 활물질을 포함하는 반쪽전지(half-cell)에 대한 미분전하용량곡선(differential capacity plot)에서 하기 식 1을 만족하는,음극 활물질:[식 1]R=(dQ2/dV2)/(dQ1/dV1)≥1.2상기 식 1에서,dQ1/dV1은 0.3 내지 0.6V에서 첫번째 충/방전 사이클의 최대 방전 피크이고,dQ2/dV2은 0.3 내지 0.6V에서 두번째 충/방전 사이클의 최대 방전 피크이고,R은 최대 방전 피크의 비율이다.