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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0083073 (2022-07-06) | |
공개번호 | 10-2023-0077625 (2023-06-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220083073 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은, 반도체 제조공정용 엣지링에 관한 것으로서, 구체적으로 보론카바이드 분말로 제조한 소결체(기지층) 표면에 보다 치밀한 보론카바이드 표면층을 형성시키되, 상기 기지층과 표면층 사이에 박리 방지 및 물성 개선을 위한 혼재층을 형성함으로써, 표면에 보다 치밀한 구조를 구비하여 가혹한 플라즈마 공정 간 보론카바이드 소결체의 균열을 방지하고, 또한 이에 의한 파티클 발생을 효과적으로 억제함으로써, 제품 불량률을 감소시킬 수 있는, 반도체 제조공정용 엣지링 및 그 제조방법에 관한 것이다.
보론카바이드(B4C) 기지층;상기 보론카바이드 기지층 표면에 형성된 혼재층; 및 상기 혼재층 표면에 형성된 보론카바이드(B4C) 표면층; 을 포함하는, 반도체 제조공정용 엣지링.
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