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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7007615 (2023-03-03) | |
공개번호 | 10-2023-0039753 (2023-03-21) | |
등록번호 | 10-2517364-0000 (2023-03-29) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2017-010387 (2017-01-24) | |
국제출원번호 | PCT/JP2018/001979 (2018-01-23) | |
국제공개번호 | WO 2018/139448 (2018-08-02) | |
번역문제출일자 | 2023-03-03 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237007615 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-03-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
전고체 전지는,정극과,부극과,상기정극및상기부극의사이에끼워지는고체 전해질층을포함한다.상기정극및상기부극중적어도어느일방은,제1고체 전해질 입자를포함하고,상기고체 전해질층은,이온전도성의제2고체 전해질 입자를포함한다.상기제1고체 전해질 입자의평균입자지름 D1및상기제2고체 전해질 입자의평균입자지름 D2는,D2>D1을충족한다.
정극(正極)과,부극(負極)과,상기정극및상기부극의사이에끼워지는고체 전해질층을포함하고,상기정극및상기부극중적어도어느일방(一方)은,제1고체 전해질 입자를포함하고,상기고체 전해질층은,이온전도성의제2고체 전해질 입자를포함하고,상기제1고체 전해질 입자의평균입자지름 D1및상기제2고체 전해질 입자의평균입자지름 D2는,D2>D1을충족하고,상기평균입자지름 D1은1μm이상10μm이하이고,상기평균입자지름 D2는5μm이상50μm이하이고,상기평균입자지름 D2의상기평균입자지름 D1에대한비(=D2/D1)는,2이상200이하이고,상기제2고체 전해질 입자는,입자지름이
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