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특허 상세정보
NANO IC
| 국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/00 |
| 미국특허분류(USC) | 136/252; 136/254; 977/943 |
| 출원번호 | US-0340350 (2006-01-26) |
| 공개번호 | US-0260674 (2006-11-23) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 대리인 / 주소 |
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| 인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
초록
Systems and methods are disclosed to process a semiconductor substrate by fabricating a first layer on the substrate using semiconductor fabrication techniques; fabricating a second layer above the first layer having one or more NANO-bonding areas; self-assemblying one or more NANO-elements; and bonding the NANO-elements to the NANO-bonding areas.
대표
청구항
What is claimed is: 1. A hybrid electronic device, comprising: a substrate; a first layer fabricated using semiconductor fabrication techniques; a second layer formed above the first layer, the second layer having one or more NANO-bonding areas; one or more NANO-elements self-assembled to the second layer molecular bonding areas. 2. The device of claim 1, wherein the NANO-elements is disposed in an array pattern. 3. The device of claim 1, wherein the NANO-elements are spin-coated on the second layer. 4. The device of claim 1, wherein the NA...
