$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Process for preparing layers of silicon carbide on a silicon substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/205
  • C01B-031/36
출원번호 US-0528050 (1974-11-29)
우선권정보 DT-2364989 (1973-12-28)
발명자 / 주소
  • Seiter Hartmut (Munich DT)
출원인 / 주소
  • Consortium fur Elecktrochemische Industrie GmbH (Munich DT 03)
인용정보 피인용 횟수 : 27  인용 특허 : 0

초록 ▼

In a process for producing an epitaxial layer of hexagonal silicon carbide on a silicon monocrystal substrate by simultaneous reduction or thermal decomposition of a gas mixture containing silicon halides and organosilanes, or mixtures thereof, hydrocarbons, and H2 on said substrate, the improvement

대표청구항 ▼

In a process for producing an epitaxial layer of hexagonal silicon carbide on a silicon monocrystal substrate by simultaneous reduction or thermal decomposition of a gas mixture containing silicon halides and organosilanes, mixtures of the two, hydrocarbons, and hydrogen on said substrate, the impro

이 특허를 인용한 특허 (27)

  1. Edmond John A. (Apex NC), Blue light emitting diode formed in silicon carbide.
    상세보기
  2. Edmond John A. (Apex NC), Blue light emitting diode formed in silicon carbide.
    상세보기
  3. Parikh, Ashesh; Marshall, Andrew, Carbon nanotube transistors on a silicon or SOI substrate.
    상세보기
  4. Larkin David J. ; Neudeck Philip G. ; Powell J. Anthony ; Matus Lawrence G., Compound semi-conductors and controlled doping thereof.
    상세보기
  5. Suzuki Hiroshige (No. 39-9 ; 2-Chome Kitasenzuku ; Ohta-Ku ; Tokyo JPX) Hase Teizo (Tokyo JPX), Finely divided silicon carbide having a high content of 2H-type silicon carbide and method of producing the same.
    상세보기
  6. Shigeta Mitsuhiro (Joyo JPX) Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Sakai JPX) Fujii Yoshihisa (Nara JPX) Hatano Akitsugu (Tenri JPX) Uemoto Atsuko (Nara JPX) Nakanishi Kenji (Shijonawate JPX), Heteroepitaxial growth of SiC on Si.
    상세보기
  7. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY), Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same.
    상세보기
  8. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY), Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same.
    상세보기
  9. Kong Hua-Shuang (Raleigh NC) Glass Jeffrey T. (Apex NC) Davis Robert F. (Raleigh NC), Homoepitaxial growth of Alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon.
    상세보기
  10. Kong Hua-Shuang (Raleigh NC) Glass Jeffrey T. (Apex NC) Davis Robert F. (Raleigh NC), Homoepitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon.
    상세보기
  11. Kang, Seok Min, Method for deposition of silicon carbide and silicon carbide epitaxial wafer.
    상세보기
  12. Parikh, Ashesh; Marshall, Andrew, Method for fabricating graphene transistors on a silicon or SOI substrate.
    상세보기
  13. Nemani, Srinivas D; Xia, Li-Qun; Sugiarto, Dian; Yieh, Ellie; Xu, Ping; Campana-Schmitt, Francimar; Lee, Jia, Method of depositing dielectric films.
    상세보기
  14. Nemani,Srinivas D; Xia,Li Qun; Sugiarto,Dian; Yieh,Ellie; Xu,Ping; Campana Schmitt,Francimar; Lee,Jia, Method of depositing dielectric films.
    상세보기
  15. Nemani,Srinivas D; Xia,Li Qun; Sugiarto,Dian; Yieh,Ellie; Xu,Ping; Campana Schmitt,Francimar; Lee,Jia, Method of depositing dielectric films.
    상세보기
  16. Campana, Francimar; Nemani, Srinivas; Chapin, Michael; Venkataraman, Shankar, Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers.
    상세보기
  17. Campana, Francimar; Nemani, Srinivas; Chapin, Michael; Venkataraman, Shankar, Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers.
    상세보기
  18. Campana,Francimar; Nemani,Srinivas; Chapin,Michael; Venkataraman,Shankar, Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers.
    상세보기
  19. Xu,Ping; Xia,Li Qun; Dworkin,Larry A.; Naik,Mehul, Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications.
    상세보기
  20. Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Sakai JPX) Shigeta Mitsuhiro (Tenri JPX), Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide.
    상세보기
  21. Eshita Takashi (Inagi JPX) Mieno Fumitake (Kawasaki JPX) Furumura Yuji (Kawasaki JPX) Itoh Kikuo (Yokohama JPX), Method of growing a single crystalline b 상세보기
  • Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Osaka JPX), Process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide.
    상세보기
  • Gaul ; Jr. John H. (Midland MI), Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom.
    상세보기
  • Gaul ; Jr. John H. (Midland MI), Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom.
    상세보기
  • Addamiano Arrigo (Alexandria VA) Klein Philipp H. (Washington DC), Recovery of fragile layers produced on substrates by chemical vapor deposition.
    상세보기
  • Stroke Frederick G. (McMurray PA), Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom.
    상세보기
  • Chakrabarti, Sibaprasad; Hiti, Silva; John, George; Smith, Gregory S.; Perisic, Milun; Esmaili, Gholamreza, Three phase inverter with improved loss distribution.
    상세보기

    • 관련 콘텐츠

    섹션별 컨텐츠 바로가기

    AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

    AI-Helper 아이콘
    AI-Helper
    안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
    ※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

    선택된 텍스트

    맨위로