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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0549065 (1975-02-11) |
우선권정보 | FR-0005137 (1974-02-15); FR-0035842 (1974-10-25); FR-0036453 (1974-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A read-only memory which can be programmed by means of internal fuses and whose memory cells are formed by bipolar transistors in an ECL circuit. The emitters of the memory-position transistors are coupled to the emitter in a row-address transistor, the bases are connected directly to the emitter of
A programmable read-only memory comprising at least one row-column matrix of fusible link memory positions connected to row and column conductors, the columns being arranged in groups, each of said memory positions comprising a bipolar memory transistor, and a fuse connected in series with the colle
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