[특허]Method for improving dielectric breakdown strength of insulating-glassy-material layer of a device including ion implant

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/265
출원번호	US-0585924 (1975-06-11)
발명자 / 주소	Baglin John E. (Mohegan Lake NY) DiStefano Thomas H. (Tarrytown NY) Tu King-Ning (Mahopac NY)
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation (Armonk NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0

초록 ▼

It has been discovered for the practice of this disclosure that a particular ion radiation treatment of amorphous SiO2 thin film, with a subsequent annealing procedure, improves the dielectric breakdown property of the film. The treated SiO2 film is found to be substantially more dense than a comparable untreated SiO2 film. It is theorized for the practice of this disclosure that the physical mechanism which produces the densification of the SiO2 film may be responsible for the enhanced dielectric properties of the film. Such an improved film is especially useful as the gate insulator layer in an insulated-gate electrode field-effect transistor device, and as an insulating layer for electrically separating two metallic films in a thin film integrated circuit. Such SiO2 thin films are useful in integrated circuit technology because the electrical insulation property thereof is considerably improved, e.g., in metal-oxide-semiconductor field effect devices in which the gate insulation is relatively thin, e.g. less than 500A, and in metallic magnetic-bubble devices in which a thin SiO2 layer is used to separate the sense element from the conductive magnetic film.

대표청구항 ▼

Method for increasing the dielectric breakdown strength of an amorphous SiO2 film with thickness less than approximately 1 micron of a device in an electric field supporting path of said device comprising steps of: fabricating said device in a portion thereof including fabricating said film, irradiating said film with ions selected from the group comprising hydrogen, helium, argon, krypton, neon and xenon, and being of sufficient fluence and energy to densify said film by at least 50 percent of saturation compaction as averaged over the range of said ions in said film and being of insufficient energy to penetrate completely through said film, and annealing said film with a combination of time and temperature to remove substantially electric charge introduced therein by said energetic ions, whereby the dielectric breakdown strength of said film is increased.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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