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특허 상세정보

Filamentary silicon carbide crystals by VLS growth in molten iron

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) B01J-017/26    B01J-017/32    C01B-031/36   
미국특허분류(USC) 156/609 ; 156/606 ; 156/614 ; 156/624
출원번호 US-0599087 (1975-07-25)
우선권정보 NL-0017544 (1966-12-14); NL-0003609 (1967-03-08)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 0
초록

A method of growing silicon carbide whiskers from a gaseous phase by means of a vapor-liquid-solid mechanism on a substrate using iron in a finely divided state as a solvent for the silicon carbide.

대표
청구항

A method of manufacturing filamentary crystals of silicon carbide, comprising the steps of: applying elemental iron in finely divided form to a substrate surface capable of withstanding temperatures in the range of 1150°C to 1400°C; and exposing said substrate surface to an atmosphere containing carbon and silicon at a temperature between 1150°C and 1400°C, until droplets comprising iron form on said surface dissolving carbon and silicon from said atmosphere and filamentary crystals of silicon carbide of desired length grow from said surface at the sites...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15

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  3. Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD. USP2000026030661.
  4. Rutz, Richard F.. Epitaxial crystal fabrication of SiC:AlN. USP1983054382837.
  5. Garnier, John E.. Metal carbide fibers and methods for their manufacture. USP2017109803296.
  6. Ioku Toshinori (Nara JPX) Sakurai Takeshi (Nara JPX). Method for making a silicon carbide substrate. USP1986044582561.
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  8. Endou Morinobu (Nagano JPX) Takamizawa Minoru (Tokyo JPX) Hongu Tatsuhiko (Kanagawa JPX) Kobayashi Taishi (Niigata JPX). Method for the preparation of silicon carbide fibers. USP1985014492681.
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