최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0599087 (1975-07-25) |
우선권정보 | NL-0017544 (1966-12-14); NL-0003609 (1967-03-08) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A method of growing silicon carbide whiskers from a gaseous phase by means of a vapor-liquid-solid mechanism on a substrate using iron in a finely divided state as a solvent for the silicon carbide.
A method of manufacturing filamentary crystals of silicon carbide, comprising the steps of: applying elemental iron in finely divided form to a substrate surface capable of withstanding temperatures in the range of 1150°C to 1400°C; and exposing said substrate surface to an atmosphere containing car
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.