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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0727733 (1976-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
Semiconductor material stress sensors are provided where the sensing resistors therein have good electrical stability while being sufficiently protected without degrading sensor performance. This is accomplished through control of the locations of the maximum concentrations of the resistor dopant.
A semiconductor material stress sensor having structural portions including substantially a diaphragm and a constraint for constraining said diaphragm at peripheral portions thereof, said stress sensor comprising: a layer of semiconductor material of a first conductivity type except in selected regi
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