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특허 상세정보

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Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-033/00   
미국특허분류(USC) 427/213 ; 423/DIG16 ; 423/342 ; 423/348 ; 423/350 ; 423/481
출원번호 US-0494005 (1974-07-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Comfort, James T.Honeycutt, Gary C.
인용정보 피인용 횟수 : 39  인용 특허 : 0
초록
▼

A balanced closed cycle silicon refinery has been developed for producing electronic silicon from industrial grade silicon. Impurities comprising approximately 1% of the industrial grade silicon are removed during the refinery process to produce the purified silicon, while only a relatively small percentage of make-up chemicals are added to the system. In the refinery, hydrogen chloride is reacted with the impure silicon in a halide reactor to provide trichlorosilane and silicon tetrachloride and hydrogen. The trichlorosilane and/or silicon tetrachloride...

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이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 39

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