[특허]Moderate field hole and electron injection from one interface of MIM or MIS structures

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/34
출원번호	US-0808501 (1977-06-21)
발명자 / 주소	DiMaria Donelli J. Young Donald R.
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	Sughrue, Rothwell, Mion, Zinn and Macpeak
인용정보	피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 2

초록 ▼

A graded oxide MIM or MIS structure employs band gap grading of the insulator oxide so that holes or electrons (depending on voltage bias) can be injected into the insulator oxide under moderate electric field conditions from the contact at one interface. Electron or hole injection from the opposite interface is blocked due to the larger insulator band gap near this interface. A graded oxide metal-silicon dioxide-silicon (MGOS) semiconductor structure may be fabricated by forming several pyrolytic or CVD SiO.sub.2 layers over a relatively thick thermal SiO.sub.2 layer, with the pyrolytic SiO.sub.2 layers having sequentially increasing excess Si content. This structure may also be fabricated by controlled Si ion implantation in the thermal SiO.sub.2 layer.

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Yamazaki,Shunpei; Koyama,Jun; Miyanaga,Akiharu; Fukunaga,Takeshi, Semiconductor thin film and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same.
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Yamazaki, Shunpei; Miyanaga, Akiharu; Koyama, Jun; Fukunaga, Takeshi, Thin film semiconductor device and its manufacturing method.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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