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Programmable attenuator apparatus employing active FET switching 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H03H-007/26
출원번호 US-0736929 (1976-10-29)
발명자 / 주소
  • Murphy
  • Desmond Lewis
출원인 / 주소
  • Tektronix, Inc.
대리인 / 주소
    Noe, George T.
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 3

초록

A high-impedance programmable attenuator utilizing field-effect transistor (FET) switching in both the high-impedance and low-impedance sections. In the high-impedance section, hybrid passive attenuator elements are employed to provide attenuation of electrical signals, and both series and shunt for

대표청구항

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이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Harris Richard Wayne (Stockton CA) Lee Harry Thomas (Sunnyvale CA), Digitally controlled variable conductance.
  2. Gordon Sidney (New York NY), Electronically variable audiometer of the von Bekesy type.
  3. Southard James S. (Union MI), Tone signal waveform control network for musical instrument keying system.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Alm Ake W. (San Pedro CA), Amplitude compression and frequency compensation system.
  2. Dut챕,John C.; Boyd, II,Laurence A., Apparatus, method and signal set for monoline serial interface.
  3. Robinson Paul B. (Durham NH), Communication system and method having wide dynamic range digital gain control.
  4. Hopfer Samuel (Brooklyn NY), Digital programmable attenuator.
  5. Kamikawara Toshio (Tokyo JPX), Electronic attenuation value control circuit in which switching noise is suppressed.
  6. Shafer James E. (Jackson MS), Microprocessor-controlled amplifier.
  7. Gupta Ramesh K. (Rockville MD) Geller Bernard D. (Rockville MD), Microwave digitally controlled solid-state attenuator having parallel switched paths.
  8. Petrelis Peter G. (Huntington Beach CA) Alexander John A. (Rancho Palos Verdes CA), N by M planar configuration switch for radio frequency applications.
  9. Tanahashi Kyoji (Tokyo JPX), Noise signal suppressor having improved output signals.
  10. Culbert James A. (Hingham MA) Seslar Daniel M. (Weymouth MA), Noise trap circuit.
  11. Miles Frank (Ann Arbor MI), Programmable attenuator.
  12. Czarnul Zdzislaw (New York NY), Semiconductive MOS resistance network.
  13. Maoz Barak (Highland Park NJ), Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship.
  14. Maoz Barak (Highland Park NJ), Voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship.
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