검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/06 |
미국특허분류(USC) | 136/258 ; 136/261 ; 156/616.2 ; 156/616.4 ; 420/578 ; 420/903 ; 423/350 ; 437/2 ; 437/81 ; 437/141 |
출원번호 | US-0853770 (1977-11-21) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 3 |
Epitaxial and diffusion-type planar diodes and solar cells utilize low-cost refined metallurgical silicon substrates having a substantially higher impurity content than conventional high-cost, high purity semiconductor grade silicon. The epitaxial type products have an n-on-p-on-p substrate configuration, while the diffusion-type products have pentavalent impurities diffused therein to form a p-n junction in the low cost silicon substrate. One embodiment employs a multigrained refined metallurgical silicon (RMS) prepared by precipitating essentially iron...