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특허 상세정보

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Method of semiconductor solar energy device fabrication

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/263    H01L-031/04   
미국특허분류(USC) 437/2 ; 136/255 ; 136/256 ; 257/437 ; 257/461 ; 437/20 ; 437/188 ; 437/228 ; 437/946
출원번호 US-0792438 (1977-04-25)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Clark, Lowell E.
인용정보 피인용 횟수 : 45  인용 특허 : 0
초록
▼

This disclosure relates to a semiconductor solar energy device which is of the PN-type and utilizes a dielectric anti-reflective coating on the side of the device that faces the sunlight. The fabrication techniques used in making this semiconductor device include the use of a rough or textured pyramid shaped silicon surface beneath the anti-reflective coating to increase solar cell efficiency. Also, ion implantation is used to form the PN junction in the device. The ion implanted region located on the side of the device that is subjected to the sunlight ...

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이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 45

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