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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0811029 (1977-06-29) |
우선권정보 | DE-2636348 (1976-08-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 1 |
An improved process for the production of pure, elemental semiconductor material, especially silicon, of the type wherein the semiconductor material is produced by decomposition from the gaseous phase, is provided, which includes the initial step of maintaining a melt of the semiconductor material a
A process for the production of pure elemental silicon, comprising the steps of: maintaining a melt of silicon at a temperature at least equal to and up to a maximum of 200°C. above the melting point of silicon on a gas-permeable sieve floor of a reactor; introducing at least one gaseous, decomposab
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