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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0702548 (1976-07-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 1 |
There is disclosed an all silicon monolithic focal plane array of infrared detectors for image detection. The structure comprises an epitaxial layer grown on an extrinsically doped silicon substrate. The detectors are formed in and extend through the substrate, the material of which is sensitive to
An image detector including in combination: (a) a semiconductor substrate of a first conductivity type; (b) a continuous epitaxial layer adjacent to said semiconductor substrate of a second type conductivity; (c) an optical detector region formed in at least a portion of said semiconductor substrate
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