[특허]Method for providing low cost wafers for use as substrates for integrated circuits

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/203 H01L-021/205
출원번호	US-0864382 (1977-12-27)
발명자 / 주소	Garrison Lilburn H. (Vista CA) Dixit Anant D. (Capilla Court IN)
출원인 / 주소	Burroughs Corporation (San Diego CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0

초록 ▼

The method of manufacture of the present invention provides a wafer that is better than a bulk monocrystalline silicon wafer and equivalent to silicon on sapphire (SOS) wafers for use as substrates for integrated circuits. The method comprises taking an inexpensive slab of silicon having crystal orientation and by low pressure CVD, high pressure CVD, or plasma deposition techniques depositing a polycrystalline layer of sapphire on the silicon base. The polycrystalline layer of sapphire is then annealed at an elevated temperature to form a monocrystalline layer having a orientation. A single crystalline layer of silicon having crystal orientation is then epitaxially grown on the sapphire. The resultant multilayer wafer is equivalent in function and reliability to a silicon on sapphire wafer without the commensurate cost.

대표청구항 ▼

A method for manufacturing wafers for use as substrates for integrated circuits, which wafers have a minimum of crystal defects, said method comprising: depositing a polycrystalline layer of pure sapphire upon a crystalline body having orientation; annealing the polycrystalline layer of pure sapphire sufficiently to form a monocrystalline layer of pure sapphire, said monocrystalline sapphire layer having orientation; and depositing an epitactic monocrystalline layer of silicon upon the layer of monocrystalline pure sapphire, said epitactic monocrystalline silicon layer having a orientation.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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