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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0905625 (1978-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 1 |
Electronic grade aluminum nitride semiconductor material may be uniformly nucleated and epitaxially formed on an aluminum oxide substrate by reacting aluminum oxide or aluminum nitride with nitrogen in the presence of carbon.
The process of epitaxially forming electronic grade aluminum nitride on an aluminum oxide substrate comprising the steps of: positioning carbon and a source of aluminum oxide in convection proximity to an aluminum oxide crystal substrate, heating said substrate to a temperature of at least 1670°C. a
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