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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0851846 (1977-11-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 3 |
Damaged semiconductor materials are annealed using localized short term energy deposition. In a specific embodiment gallium arsenide damaged during ion implantation is annealed by exposure to short laser pulses.
A process comprising exposing at least a portion of the uncapped region of a damaged crystalline compound semiconductor material to short term localized energy deposition for a period less than 10 milliseconds thereby annealing the damaged crystal material to a substantially undamaged crystal state
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