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특허 상세정보

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Process and an apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of beta-type crystal

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/56    C01B-031/36   
미국특허분류(USC) 106/44 ; 423/345
출원번호 US-0797609 (1977-05-16)
우선권정보 JP-0060501 (1976-05-24); JP-0061432 (1976-05-26)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 0
초록
▼

A process and an apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of bb2 of 3.2-5.0 into a top portion of a vertical-type reaction vessel having a preheating zone, a heating zone and a cooling zone in this order, descending the starting material by gravity through the reaction vessel, heating the starting material in the heating zone at a temperature of 1,600°-2,100°C. by electrically indirect heating in horizontal direction to effect the formation of SiC, cooling the resulting reaction product in the cooling zone under a non-oxidizing atmospher...

대표
청구항
▼

A process for producing silicon carbide consisting mainly of b2 of 3.2-5.0; charging the starting material into a top portion of a vertical-type reaction vessel having a preheating zone, a heating zone and a cooling zone in this order, sAid heating zone having a filling width l of from 0.10 to 0.35 m; descending the charged starting material by gravity through the preheating zone to the heating zone, the descending rate U in m/hr of said charged starting material at the inlet of said heating zone being exp(-7.16 l+0.39)≤U≤exp(-4.63 l+1.72); heating the s...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 9

  1. Stevenson David T. (Washington Township ; Armstrong County PA) Troup Robert L. (Murrysville PA). Carbothermic reduction and prereduced charge for producing aluminum-silicon alloys. USP1985014491472.
  2. Troup Robert L. (Murrysville PA) Stevenson David T. (Washington Township ; Washington County PA). Carbothermic reduction with parallel heat sources. USP1984124486229.
  3. Baluais Gerard,FRX ; Ollivier Benoist,FRX. Catalyst support with base of silicon carbide with high specific surface area in granulated form having improved mechanical characteristics. USP2001026184178.
  4. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY). Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same. USP1991035002905.
  5. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY). Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same. USP1991014981665.
  6. Suzuki Hiroshige (39-9 ; Kitasenzoku 2-chome Ota-ku ; Tokyo 145 JPX) Hase Teizo (Kawasaki JPX). Method of producing b
  7. St.o slashed.le Kjell Arnulf,NOX ; Velken Sjur Vidar,NOX. Process for producing silicon carbide. USP2000026022515.
  8. Enomoto Ryo (Oogaki JPX) Amino Toshikazu (Oogaki JPX). Process for producing ultrafine silicon carbide powder. USP1985074529575.
  9. Kim, Jonathan J.; Venkateswaran, Viswanathan. Sintering or reaction sintering process for ceramic or refractory materials using plasma arc gases. USP1985124559312.

IPC 상위 출원인