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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0853325 (1977-11-21) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 4 |
Fabrication of photovoltaic devices by solid phase epitaxy; devices produced by this method consisting of a semiconductor base and a semiconductor junction-forming epitaxial layer. The epitaxial layer grown by solid phase means from a metal-semiconductor alloy or from a sandwich structure of semicon
A method of forming a photovoltaic semiconductor device, comprising the steps of: providing a semiconductor substrate of a given conductivity type having at least one substantially flat surface; depositing a composite of metal and semiconductor on said flat surface, said composite containing dopant
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