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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-027/14 |
미국특허분류(USC) | 148/174 ; 204/192S ; 427/74 ; 427/75 |
출원번호 | US-0881936 (1978-02-28) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A photovoltaic cell that incorporates a PbO-SnO heterojunction of graded composition which, among other applications, can be utilized for the conversion of solar energy to electrical energy. A p-i-n junction is formed while PbO and SnO are simultaneously deposited on a substrate in a varying ratio that is either decreased or increased to form the compositions Pb1-xSnxO where x varies in the range of 0 to 1.
In a method of making a photovoltaic cell, the steps comprising: providing a substrate of electrically conductive material; forming on said substrate a first region of photoconductive material selected from SnO and Pb1-xSnxO, having a first conductivity type; forming a second region, of intrinsic photoconductive Pb1-xSnxO, on said first region; and forming a third region, of photoconductive material selected from PbO and Pb1-xSnxO having a conductivity type opposite said first conductivity type, on said second region; wherein x is progressively smaller f...