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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0627635 (1975-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 79 인용 특허 : 0 |
In the production of elemental silicon by chemical vapor deposition on a particulate seed bed, the continuous generation of seed particles for use or recycle is achieved by the maintenance of a separate, subsidiary reaction zone at a temperature which favors breakage of product particles; while a hi
A method for the production of elemental silicon comprising the steps of: contacting a first particulate bed of silicon particles at a temperature between 900°and 950°C. with a stream of fluidizing gas at a velocity which favors some breakage of particles; contacting a second particulate bed of sili
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