[특허]Silicon refinery

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B01J-008/18 C01B-033/00
출원번호	US-0726018 (1976-09-22)
발명자 / 주소	Padovani Francois A. (Dallas TX) Miller Michael B. (Richardson TX) Moore James A. (Dallas TX) Fowler James H. (both of Plano TX) June Malcom N. (both of Plano TX) Matthews James D. (Denver CO) Mo
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보	피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 0

초록 ▼

A balanced, closed cycle silicon refinery system has been developed for producing electronic grade silicon from industrial grade silicon. Impurities comprising approximately 1% of the industrial grade silicon are removed in the refinery system to produce the purified silicon, while only a relatively small percentage of make-up chemicals are added to the system. In the refinery, hydrogen chloride is reacted with the impure silicon in a halide reactor to provide trichlorosilane and silicon tetrachloride and hydrogen. The trichlorosilane and/or silicon tetrachloride are passed through purification means, and then reacted with the hydrogen from the halide reactor in a fluidized bed reactor to produce the purified silicon and an effluent comprised of unreacted trichlorosilane, silicon tetrachloride, hydrogen, and the by-product hydrogen chloride. These materials are passed through a separator and the trichlorosilane and silicon tetrachloride and hydrogen are returned to the silicon reactor while the hydrogen chloride is returned to the halide reactor to be reacted with additional industrial grade silicon.

대표청구항 ▼

A closed cycle silicon refinery system for producing purified electronic grade silicon from impure silicon comprising: (a) a first reactor having means therein for reacting a first stream comprised of hydrogen halide with said impure silicon to produce a second impurity containing effluent stream of halosilane and/or silicon halide and a third effluent stream comprised of hydrogen and unreacted hydrogen halide; (b) purification means for removing impurities from said second stream to produce a fourth effluent stream of purified halosilane and/or silicon halide, and means coupling said purification means with said first reactor for receiving said second stream; (c) a second reactor having means therein for reacting said fourth stream with a fifth stream comprised of hydrogen to produce said purified electronic grade silicon and a sixth effluent stream comprised of hydrogen halide and unreacted hydrogen, and means coupling said second reactor with said purification means to receive said fourth stream; (d) separation means for separating a mixture of hydrogen and hydrogen halide to produce said first stream of hydrogen halide and said fifth stream of hydrogen, and means coupling said separation means with said first reactor to receive said third stream and with said second reactor to receive said sixth stream; (e) means in fluid communicaton with said separation means and said first reactor for passing said first stream to said first reactor; and (f) means in fluid communication with said separation means and said second reactor for passing said fifth stream to said second reactor.

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