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특허 상세정보

Temperature compensated switching circuit

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H03K-003/26    H03K-017/60   
미국특허분류(USC) 307/310 ; 307/254 ; 307/249 ; 307/317A
출원번호 US-0904439 (1978-05-09)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 1
초록

Temperature compensation is provided in a switching circuit for the channel resistance of a MOS/FET transistor through which a voltage source is applied to an output terminal. The gate-source voltage of the transistor is varied directly with temperature changes to hold the channel resistance substantially constant within the switching circuit. In a particular embodiment, at least one output level of a pulse amplifier is controlled through the temperature compensated switching circuit of the invention. The other output level of this pulse amplifier is app...

대표
청구항

A switching circuit of the type wherein a voltage source is applied through a MOS/FET transistor to the output terminal thereof, a signal at the input terminal thereof controls the conductivity of said MOS/FET transistor, and compensation means is provided for varying the gate-source voltage of said MOS/FET transistor to hold the drain-source channel resistance thereof substantially constant as temperature changes, which compensation means comprises: a bipolar transistor having base, emitter and collector electrodes, and having a base-emitter junction; m...