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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0065886 (1979-08-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 110 인용 특허 : 3 |
There is disclosed an absolute pressure transducer which is adaptable for use in various deleterious mediums. A single wafer contains a gage sensor configuration on one portion and an absolute sensor configuration on another adjacent portion. An active diaphragm area is defined for each sensor confi
An absolute pressure transducer, comprising: (a) a wafer of a semiconductor material having a top and bottom surface with relatively thin side surfaces, said bottom surface having first and second circular recesses adjacent one another and relatively of the same diameter manifesting a first and seco
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