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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0022405 (1979-03-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0 |
Improvements in shallow-homojunction solar cells based upon a plurality of layers of a direct gap semiconductor material such as GaAs, as well as their fabrication, are disclosed. The shallow-homojunction solar cells have a n+/p/p+structure in which the n+top layer is limited to a thickness which pe
A shallow-homojunction photovoltaic device formed from a direct bandgap semiconductor material doped to provide an n+/p/p+layered structure, said n+layer having a thickness below about 1500 Angstroms thereby allowing significant carrier generation to occur in the p layer upon irradiation of said dev
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