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특허 상세정보

Method for rendering a non-platable semiconductor substrate platable

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-003/02    B05D-003/10   
미국특허분류(USC) 427/92 ; 106/111 ; 427/304 ; 427/305
출원번호 US-0931513 (1978-08-07)
발명자 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 4
초록

A process is described for the reception of electrolytic or electroless plating onto a non-platable semiconductor substrate. The process comprises contacting of the semiconductor substrate with a promoter composition containing metal ions, preferably primary type, selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, and copper, and mixtures thereof, and a reducing agent selected from the group consisting of amine boranes, borohydrides, hydrazine, and derivatives thereof, and thereafter immersion of the substrate in conventional electrolytic or ele...

대표
청구항

A process for rendering a non-platable semiconductor substrate platable comprising the step of contacting said semiconductor substrate with a promoter composition comprising metal ions selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, copper, and mixtures thereof, and a reducing agent selected from the group consisting of amine boranes, borohydrides, hydrazine, and derivatives thereof, wherein said reducing agent is capable of chemically reacting with said semiconductor substrate and said metal ions, and further wherein the concentration of sai...