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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0948129 (1978-10-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 2 |
An infrared (IR) detector device comprised of a solid state, radiation hard, and high resolution monolithic IR focal plane array for imaging applications. The monolithic IR focal plane array has a heterostructure injection scheme that prevents charge coupled device (CCD) “well filling”by using a het
A monolithic intrinsic infrared (IR) focal plane array charge coupled device (CCD) imager for imaging a non-scanned IR scene image, said imager comprising: a monolithic intrinsic substrate chip having photon detection and electron charge signal producing means on one layer thereof and CCD electrical
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