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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0018454 (1979-03-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 1 |
Continuous film type, current-access bubble memories are designed for low power operation by including, along the current paths, areas of reduced width. The areas of reduced widths are characterized by relatively high current densities, which are preferred, for example, for expansion detected or ope
A magnetic bubble memory comprising a host layer (11) of a material in which magnetic bubbles can be moved, and means (16,17,M1 . . . MN,13,22) for moving magnetic bubbles in the layer, the means comprising at least one continuous layer (16) of electrically-conducting material for providing a curren
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