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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0049429 (1970-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 0 |
A non-volatile memory has a plurality of storage bits, each bit comprising an insulated gate field effect transistor having a variable threshold voltage and selectively set to first and second stable threshold voltages in response to the application of positive and negative polarizing voltages betwe
An electrically resettable memory for storing a plural bit data word comprising: a plurality of memory storage bits, each of said storage bits comprising a variable threshold voltage transistor having a first and a second stable state, means for applying a negative polarizing voltage to the gate of
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