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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0091750 (1979-11-06) |
우선권정보 | IT-0029622 (1978-11-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 3 |
A process is disclosed for purifying silicon wherein silicon in the molten state is reacted with barium carbonate and/or oxide and/or hydroxide and then, after cooling and crushing, leached with one or more dilute inorganic acids. Preferably an oxidizing gas such as oxygen or water vapor is blown in
A process for purifying silicon, characterized in that metallurgical silicon in the molten state is reacted with a barium compound selected from the class consisting of barium carbonate, barium oxide, barium hydroxide, and mixtures thereof at a temperature in the range of 1,550°to 2,000°C. and then,
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