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특허 상세정보

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Process for purifying silicon

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-033/02   
미국특허분류(USC) 423/348
출원번호 US-0091750 (1979-11-06)
우선권정보 IT-0029622 (1978-11-09)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 3
초록

A process is disclosed for purifying silicon wherein silicon in the molten state is reacted with barium carbonate and/or oxide and/or hydroxide and then, after cooling and crushing, leached with one or more dilute inorganic acids. Preferably an oxidizing gas such as oxygen or water vapor is blown into the molten mass during the reaction, which is conducted at a temperature in the range of from 1550°to 2000°C. The inorganic acid may be for example hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid, sulphuric acid, or mixtures thereof.

대표
청구항
▼

A process for purifying silicon, characterized in that metallurgical silicon in the molten state is reacted with a barium compound selected from the class consisting of barium carbonate, barium oxide, barium hydroxide, and mixtures thereof at a temperature in the range of 1,550°to 2,000°C. and then, after cooling and crushing, the so reacted silicon is leached with a dilute inorganic acid to yield solar grade silicon having a B content not higher than 5 ppmw, and Al content lower than 1 ppmw, a P content not higher than 1 ppmw, and a total content of oth...

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Harvey ; II ; Francis J. ; Fey ; Maurice G.. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates. USP1978074102764.
  2. Padovani ; Francois A. ; Miller ; Michael Brant ; Moore ; James A. ; Fo wler ; James H. ; June ; Malcolm Neville ; Matthews ; James D. ; Morton ; T. R. ; Stotko ; Norbert A. ; Palmer ; Lewis B.. Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon. USP1978054092446.
  3. Kotval ; Peshotan S. ; Strock ; Harold B.. Siliconsolar cells with low-cost substrates. USP1978114124410.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 8

  1. Ito, Nobuaki. Method for producing high purity silicon. USP2009117615202.
  2. Zeaiter, Khalil. Method for producing high purity silicon. USP2014128920761.
  3. Halvorsen, Gunnar. Method for production of pure silicon. USP1985094539194.
  4. Nichol, Scott. Method for removing phosphorous and boron from aluminium silicon alloy for use in purifying silicon. USP2016019243311.
  5. Sancier Kenneth M. (Menlo Park CA). Process for recovery of silicon from a reaction mixture. USP1988104777030.
  6. Griesshammer Rudolf (Alttting DEX) Peterat Michael (Emmerting DEX). Process for removing impurities from silicon fragments. USP1985064525336.
  7. Ceccaroli, Bruno; Friestad, Kenneth. Refining of metallurgical grade silicon. USP2005036861040.
  8. Lynch, David C.; Øye, Harald A.. Silicon refining process. USP2010037682585.

IPC 상위 출원인