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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0062791 (1979-08-01) |
우선권정보 | FR-0022826 (1978-08-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 1 |
A basic photovoltaic stack is constituted by a semiconducting layer interposed between a layer forming an ohmic contact and a layer forming a Schottky contact. A second photovoltaic stack having the same structure as the basic stack is formed on this latter and includes one of the layers forming an
A photovoltaic generator comprising a basic photovoltaic stack having a structure consisting of a semiconducting layer interposed between a layer forming an ohmic contact and a layer forming a Schottky-type contact, wherein at least one additional photovoltaic stack having a structure which is ident
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