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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0071649 (1979-09-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 2 |
Metals such as platinum and palladium are preferentially removed in the presence of their metal silicides by ion milling in a noble gas atmosphere such as argon. The process can be used on semiconductor chips to remove excess platinum after platinum silicide has been formed in the contact holes.
A process for removing a metal in the presence of its silicide comprising ion milling the metal and the metal silicide in an atmosphere consisting essentially of a noble gas at a pressure range of from about 2-4×10-4 torr with the angle of incidence of the ion milling on the metal being from about 1
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