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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0959982 (1978-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 0 |
A method of producing semicrystalline silicon by heating the silicon to a molten state and gradually cooling the silicon to mitigate disruptions in the silicon continuum and promote semicrystalline growth. The product formed is a silicon body, which may be sliced into wafers having highly ordered gr
A method of producing a doped semicrystalline silicon body formed from grains of semicrystalline silicon and suitable for use as a host material of photovoltaic cells, comprising: (a) placing silicon of indiscriminate grain size in a container that remains substantially inert at a temperature at whi
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