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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0143694 (1980-04-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 1 |
A variable temperature method for the preparation of single and multiple epitaxial layers of single-phase (e.g., face-centered cubic), ternary lead chalcogenide alloys (e.g., lead cadmium sulfide, [Pb1-wCdw]a[S]1-a where w varies between zero and fifteen hundredths, inclusive, and a=0.500±0.003), de
A narrowband detector, comprised of: a layer of a lead cadmium chalcogenide alloy with a detector region having a first range of compositions separated from incident electromagnetic radiation by an adjoining region having a second range of compositions.
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