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Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-013/08
출원번호 US-0117236 (1980-01-31)
발명자 / 주소
  • Ban Vladimir S. (Hopewell NJ)
출원인 / 주소
  • RCA Corporation (New York NY 02)
인용정보 피인용 횟수 : 27  인용 특허 : 5

초록

A slitted tubular member within a reaction chamber encloses a stack of spaced substrates on the surfaces of which are deposited material by chemical vapor-deposition. The tubular member is formed of susceptor material adapted for heating by RF energy or by electrically heated wire. Oscillating means

대표청구항

An apparatus for chemically vapor-depositing a material onto surfaces of a plurality of substrates within a reaction chamber wherein said substrates are heated while contacting said surfaces with a gaseous compound of said material to be deposited, the improvement comprising: a slitted tubular struc

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Ban Vladimir Sinisa (Hopewell NJ) Gilbert Stephen Lee (Concord VT), Apparatus for chemical vapor deposition.
  2. Ertl ; Wilhelm ; Guckel ; Helmut ; Ruchardt ; Hugo ; Schneckenaichner ; Fritz, Apparatus for heat treating semiconductor wafers.
  3. Dozier ; Alfred R., Cross-flow reactor.
  4. Yamawaki ; Masao ; Aoki ; Katsuo ; Oka ; Yoshio ; Suzuki ; Takao ; Ina ; O samu ; Hara ; Kunihiko, Gaseous atmosphere control apparatus for a semiconductor manufacturing system.
  5. Burt Dan L. (Phoenix AZ) Taraci Richard F. (Phoenix AZ) Zavion John E. (Mesa AZ), Method for forming a deposited silicon dioxide layer on a semiconductor wafer.

이 특허를 인용한 특허 (27)

  1. Soininen Pekka,FIX ; Patteri Janne,FIX, Apparatus for growing thin films.
  2. Kleinert Michael (Dresden DDX) Mller Rainer (Dresden DDX) Stelzer Horst (Dresden DDX), Apparatus for guiding gas for LP CVD processes in a tube reactor.
  3. Toyoda, Kazuyuki; Inokuchi, Yasuhiro; Takebayashi, Motonari; Kontani, Tadashi; Ishimaru, Nobuo, Batch-type remote plasma processing apparatus.
  4. Toyoda, Kazuyuki; Inokuchi, Yasuhiro; Takebayashi, Motonari; Kontani, Tadashi; Ishimaru, Nobuo, Batch-type remote plasma processing apparatus.
  5. Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX, Device and a method for epitaxially growing objects by CVD.
  6. Kordina Olle,SEX ; Hermansson Willy,SEX ; Tuominen Marko,SEX, Device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor.
  7. Hitch Thomas T. (Lawrenceville NJ), Fluid distribution apparatus.
  8. Fukuda, Masanao; Shirako, Kenji; Sato, Akihiro; Morimitsu, Kazuhiro; Nakashima, Sadao, Heat treatment apparatus.
  9. Carlson, David K., In situ cleaning of CVD System exhaust.
  10. Hidetoshi Saitoh JP; Shigeo Ohshio JP; Norio Tanaka JP; Hideki Sunayama JP, Material having titanium dioxide crystalline orientation film and method for producing the same.
  11. Feng, Chen; Liu, Liang, Method and apparatus for forming carbon nanotube array.
  12. Suntola, Tuomo; Lindfors, Sven, Method and apparatus for growing thin films.
  13. Suntola Tuomo,FIX ; Lindfors Sven,FIX ; Soininen Pekka,FIX, Method and equipment for growing thin films.
  14. Hasebe, Kazuhide; Yamamoto, Hiroyuki; Umehara, Takahito; Kawakami, Masato, Method for forming a vapor phase growth film.
  15. Suntola Tuomo,FIX ; Lindfors Sven,FIX, Method for growing thin films.
  16. Suntola, Tuomo; Lindfors, Sven, Method for growing thin films.
  17. Suntola,Tuomo; Lindfors,Sven, Method for growing thin films.
  18. Suntola,Tuomo; Lindfors,Sven, Method for growing thin films.
  19. Learn, Arthur J.; Du Bois, Dale R.; Miller, Nicholas E.; Seilheimer, Richard A., Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow.
  20. Miyashita Naoto (Kawasaki JPX) Takahashi Koichi (Kawasaki JPX) Kinoshita Hiroshi (Yokohama JPX), Semiconductor manufacturing apparatus including a temperature control mechanism.
  21. Miyashita Naoto,JPX ; Takahashi Koichi,JPX ; Kinoshita Hiroshi,JPX, Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism.
  22. Bolton Douglas A. ; Wiesen Patrick W., Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system.
  23. Loo, John, Semiconductor workpiece apparatus.
  24. Yonemitsu Shuji,JPX ; Karino Toshikazu,JPX ; Yoshida Hisashi,JPX ; Watahiki Shinichiro,JPX ; Yoshida Yuji,JPX ; Shimura Hideo,JPX ; Sugimoto Takeshi,JPX ; Aburatani Yukinori,JPX ; Ikeda Kazuhito,JPX, Substrate processing apparatus with a processing chamber, transfer chamber, intermediate holding chamber, and an atmospheric pressure section.
  25. Yonemitsu Shuji,JPX ; Karino Toshikazu,JPX ; Yoshida Hisashi,JPX ; Watahiki Shinichiro,JPX ; Yoshida Yuji,JPX ; Shimura Hideo,JPX ; Sugimoto Takeshi,JPX ; Aburatani Yukinori,JPX ; Ikeda Kazuhito,JPX, Substrate transferring mechanism.
  26. Kowalski Jeffrey M. ; Ratliff Christopher T. ; Koble ; Jr. Terry A. ; Pack Jon H. ; Yang Michael H., Thermal processing apparatus.
  27. Matsuura, Hiroyuki, Treatment apparatus, treatment method, and storage medium.
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