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Apparatus for producing semiconductor grade silicon and replenishing the melt of a crystal growth system

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B01J-012/02
  • B01J-019/02
  • C01B-033/02
출원번호 US-0088366 (1979-10-26)
발명자 / 주소
  • Jewett David N. (Harvard MA)
출원인 / 주소
  • Energy Materials Corporation (Harvard MA 02)
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 7

초록

A method and related apparatus are provided for producing on a semi-continuous basis polycrystalline silicon and melt replenishment for a crystal growth crucible. The silicon is deposited in low density form on the inner walls of a multi-walled reaction chamber by delivering gaseous HSiCL3, SiH4, or

대표청구항

Apparatus for producing high purity silicon and melt replenishment for a crystal growth zone on a semicontinuous basis, comprising (a) a vessel defining a reaction chamber, (b) conduit means including inlet and outlet tubes connected to said chamber for delivering and exhausting a flow of heat-react

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Mazelsky ; Robert ; Fey ; Maurice G. ; Harvey ; Francis J., Arc heater method for the production of single crystal silicon.
  2. Matovich Edwin (Brea CA), Fluid-wall reactor for high temperature chemical reaction processes.
  3. Harvey ; II ; Francis J. ; Fey ; Maurice G., High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates.
  4. Arcella Frank G. (Bethel Park PA) Wolf Charles B. (Irwin PA) Fey Maurice G. (Pittsburgh PA), Liquid silicon casting control mechanism.
  5. Carman Justice N. (Tarzana CA), Method for making vitreous silica.
  6. Carman Justice N. (Tarzana CA), Process for producing liquid silicon.
  7. Schmidt Dietrich (Burghausen DEX) Hofer Johann (Kirchdorf DEX) Huber Karl E. (Ach ATX), Process for the production of pure, silicon elemental semiconductor material.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Sanjurjo Angel (San Jose CA), Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid.
  2. Sanjurjo Angel (San Jose CA), Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid.
  3. Mohan Chandra ; Kedar P. Gupta ; Jonathan A. Talbott ; Ijaz Jafri ; Vishwanath Prasad, Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon.
  4. Ceran, Kagan, Deposition of high-purity silicon via high-surface area gas-solid interfaces and recovery via liquid phase.
  5. Addis Kennard K., High temperature semiconductor crystal growing furnace component cleaning method.
  6. Wan, Yuepeng; Parthasarathy, Santhana Raghavan; Chartier, Carl; Servini, Adrian; Khattak, Chandra P., Increased polysilicon deposition in a CVD reactor.
  7. Chandra Mohan ; Jafri Ijaz Hussain ; Gupta Kedar Prasad ; Prasad Vishwanath ; Talbott Jonathan A., Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon.
  8. Wan, Yuepeng; Parthasarathy, Santhana Raghavan; Chartier, Carl; Servini, Adrian; Khattak, Chandra P, Method of making large surface area filaments for the production of polysilicon in a CVD reactor.
  9. Zolla, Howard G.; Young, Douglas W.; Basol, Bulent M., Methods and apparatus to provide group VIA materials to reactors for group IBIIIAVIA film formation.
  10. Basol, Bulent M., Methods structures and apparatus to provide group VIA and IA materials for solar cell absorber formation.
  11. Nakamura,Yasuo; Wakamatsu,Satoru, Reaction apparatus for producing silicon.
  12. Nobumitsu Takase JP; Tomohisa Machida JP; Yutaka Shiraishi JP, Single crystal material auxiliary melting apparatus and single crystal material melting method.
  13. Bender, David L, System for continuous growing of monocrystalline silicon.
  14. Bender, David L., System for continuous growing of monocrystalline silicon.
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