최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0088366 (1979-10-26) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 7 |
A method and related apparatus are provided for producing on a semi-continuous basis polycrystalline silicon and melt replenishment for a crystal growth crucible. The silicon is deposited in low density form on the inner walls of a multi-walled reaction chamber by delivering gaseous HSiCL3, SiH4, or
Apparatus for producing high purity silicon and melt replenishment for a crystal growth zone on a semicontinuous basis, comprising (a) a vessel defining a reaction chamber, (b) conduit means including inlet and outlet tubes connected to said chamber for delivering and exhausting a flow of heat-react
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.