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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0001095 (1979-01-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 1 |
A non-volatile semiconductor memory device of the electrically erasable type employs a floating gate which is programmed by application of high voltage across the source and drain so that hot electrons traverse the gate oxide. The floating gate is discharged by electron tunneling through an erase wi
An electrically erasable insulated gate field effect transistor memory device comprising source and drain regions defined in a face of a body of semiconductor material, a floating gate on said face between the source and drain regions insulated from the semiconductor material by a gate insulator, a
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