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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0091868 (1979-11-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 1 |
A method of forming ceramic material which includes mullite (3Al2O3.2SiO2) in any desired percentage. A particulate mixture is formed of (1) mullite in an amount of at least 5% by weight, (2) Al2O3 in an amount to provide sufficient SiO2 to combine with Al2O3 to form the desired mullite. The mixture
A method of fabricating a multi-layer ceramic substrate for an integrated circuit semiconductor package formed of a ceramic material composed of a high percentage of high purity dense mullite comprising forming a particulate ceramic mixture of (1) mullite in an amount in the range of 5 to 30% by wei
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