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특허 상세정보

Continuous replenishment of molten semiconductor in a Czochralski-process, single-crystal-growing furnace

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-015/12   
미국특허분류(USC) 422/106 ; 422/249 ; 422/112 ; 156/601
출원번호 US-0083169 (1979-10-09)
발명자 / 주소
  • Fiegl George (Palo Alto CA) Torbet Walter (Newark CA)
출원인 / 주소
  • Siltec Corporation (Menlo Park CA 02)
인용정보 피인용 횟수 : 36  인용 특허 : 3
초록

A replenishment crucible is mounted adjacent the usual drawing crucible, from which a monocrystalline boule is drawn according to the Czochralski method. A siphon tube for molten semiconductor transfer extends from the replenishment crucible to the drawing crucible. Each crucible is enclosed within its own hermetic shell and is provided with its own heater. The siphon tube is initially filled with molten semiconductor by raising the inert atmospheric pressure in the shell surrounding the replenishment crucible above that surrounding the drawing crucible....

대표
청구항

Apparatus for producing solid crystals from a melted material comprising: A. a drawing crucible for containing a melt of said material from which a solidifying crystal is drawn; B. crystal drawing means to progressively draw a solidifying crystal from melt contained in said drawing crucible; C. heater means surrounding said drawing crucible for applying the thermal energy to said melt required to permit formation of said solidifying crystal; D. means to rotate said drawing crucible relative to said heater during the drawing of a solidifying crystal from ...

이 특허를 인용한 특허 (36)

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  2. Rutherford Robert B. ; Dudman Richard L., Aircraft de-icing system.
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  4. Bohlnder Peter (Dusseldorf DEX) Hippler Heinz-Peter (Dortmund-Dorstfeld DEX), Apparatus for the determination of the position of a surface.
  5. Fiegl George (Palo Alto CA) Torbet Walter (Newark CA), Conduit for high temperature transfer of molten semiconductor crystalline material.
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