최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0034513 (1979-04-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 2 |
A bandgap voltage reference source is provided which is temperature stable or temperature controlled and can be made by standard CMOS process. The reference has two substrate bipolar transistors with the emitter current density of one of the transistors being larger than the emitter current density
A bandgap reference circuit comprising: a first voltage potential terminal; a second voltage potential terminal; a first transistor having a base, a collector, and an emitter, the collector being coupled to the first voltage potential terminal; a second transistor having a base, a collector, and an
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.