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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0018939 (1979-03-09) |
우선권정보 | JP-0060501 (1976-05-24); JP-0061432 (1976-05-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 1 |
An apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of bb2 of 3.2-5.0 into a top portion of a vertical-type reaction vessel having a preheating zone, a heating zone and a cooling zone in this order, descending the starting material by gravity through the reaction vessel, heating the startin
An apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of b0.10-0.35 m; and further comprising a heat insulating layer for said heating zone, said layer composed of fine powder selected from the group consisting of carbon, graphite and mixtures thereof; wherein said heating means is composed o
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