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Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/56
출원번호 US-0847347 (1977-10-31)
발명자 / 주소
  • Stroke Frederick G. (McMurray PA)
출원인 / 주소
  • PPG Industries, Inc. (Pittsburgh PA 02)
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 5

초록

Shaped silicon carbide ceramic articles of high density, e.g., at least 90 percent of theoretical, are produced by cold pressing and sintering boron-containing high purity, submicron beta silicon carbide powder. The silicon carbide powder is produced preferably by gas phase reaction of silicon halid

대표청구항

A substantially pure submicron boron-containing beta silicon carbide powder composition consisting essentially of silicon carbide powder substantially all of the beta crystalline form, said powder having a surface area of between about 3 and about 15 square meters per gram, the number mean particle

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Prochazka Svante (Ballston Lake NY), Dense polycrystalline silicon carbide.
  2. Prochazka Svante (Ballston Lake NY), Dense polycrystalline silicon carbide.
  3. Powell J. Anthony (N. Olmsted OH) Will Herbert A. (N. Olmsted OH), Process for fabricating SiC semiconductor devices.
  4. Seiter Hartmut (Munich DT), Process for preparing layers of silicon carbide on a silicon substrate.
  5. Prochazka Svante (Ballston Lake NY), Sintered dense silicon carbide.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Tomita, Takahiro; Nagai, Kenkichi; Kobayashi, Hiroharu, Ceramic material and thermal switch.
  2. Coyle Roy T. (Yorba Linda CA) Ho Phillman N. (Yorba Linda CA), Dispersions of silica in carbon and a method of making such dispersions.
  3. Maskrot, Hicham; Guizard, Benoit; Tenegal, Francois, Method for preparing a powder comprising carbon, silicon and boron, the silicon being in silicon carbide form and the boron being in boron carbide form and/or boron alone.
  4. Wei Wen-Cheng (Jamaica Plain MA) Novich Bruce E. (Lexington MA), Method for preparing dense, pressureless sintered SiC whisker reinforced composite ceramics.
  5. Ho Phillman N. (Yorba Linda CA) Coyle Roy T. (Yorba Linda CA), Process for producing silicon carbide whiskers using seeding agent.
  6. Coyle Roy T. (both Yorba Linda CA) Ho Phillman N. (both Yorba Linda CA), Production of silicon carbide.
  7. Riedel Ralf (Leinenfelden-Echterdingen DEX) Passing Gerd (Gerlingen DEX) Petzow Gnter (Leinenfelden-Echterdingen DEX) Krumbe Wolfgang (Krefeld DEX) Franz Gerhard (Krefeld DEX), SI C powder, a process for its production and its use.
  8. Okuno Akiyasu (Aichi JPX) Watanabe Masakazu (Aichi JPX), Silicon carbide-graphite composite material.
  9. Okuno Akiyasu (Aichi JPX) Watanabe Masakazu (Aichi JPX), Silicon carbide-graphite composite material and process for producing same.
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